Vishay Siliconix - SIHJ7N65E-T1-GE3

KEY Part #: K6405372

SIHJ7N65E-T1-GE3 Praghsáil (USD) [71259pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.54871
  • 3,000 pcs$0.51409

Cuid Uimhir:
SIHJ7N65E-T1-GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Diodes - Zener - Sraith, Trasraitheoirí - Neamhfheidhmiú Inchláraithe, Thyristors - SCRanna - Modúil, Diodes - Toilleadh Athrógach (Varicaps, Varactors), Diodes - Zener - Aonair, Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Trasraitheoirí - IGBTanna - Modúil and Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SIHJ7N65E-T1-GE3 electronic components. SIHJ7N65E-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHJ7N65E-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHJ7N65E-T1-GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SIHJ7N65E-T1-GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
Sraith : -
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : N-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 650V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 7.9A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 598 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 820pF @ 100V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 96W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : PowerPAK® SO-8
Pacáiste / Cás : PowerPAK® SO-8

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin