Cuid Uimhir :
SI3588DV-T1-E3
Monaróir :
Vishay Siliconix
Cur síos :
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
Cineál FET :
N and P-Channel
Gné FET :
Logic Level Gate
Drain to Voltage Source (Vdss) :
20V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
2.5A, 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
450mV @ 250µA (Min)
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
7.5nC @ 4.5V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Cumhacht - Max :
830mW, 83mW
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste / Cás :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
6-TSOP