Vishay Siliconix - SI4910DY-T1-GE3

KEY Part #: K6524089

[3949pcs Stoc]


    Cuid Uimhir:
    SI4910DY-T1-GE3
    Monaróir:
    Vishay Siliconix
    Cur síos mionsonraithe:
    MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC.
    Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
    I stoc
    Seilfré:
    Bliain
    Slis Ó:
    Hong Cong
    RoHS:
    Modh íocaíochta:
    Bealach loingsithe:
    Catagóirí Teaghlaigh:
    Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Trasraitheoirí - FETs, MOSFETs - Eagair, Diodes - Zener - Aonair, Diodes - Toilleadh Athrógach (Varicaps, Varactors), Trasraitheoirí - Neamhfheidhmiú Inchláraithe, Trasraitheoirí - FETanna, MOSFETanna - Aonair, Diodes - RF, Transistors - FETs, MOSFETs - RF and Diodes - Rectifiers - Aonair ...
    Buntáiste iomaíoch:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4910DY-T1-GE3 electronic components. SI4910DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4910DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4910DY-T1-GE3 Tréithe Táirge

    Cuid Uimhir : SI4910DY-T1-GE3
    Monaróir : Vishay Siliconix
    Cur síos : MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
    Sraith : TrenchFET®
    Stádas Cuid : Obsolete
    Cineál FET : 2 N-Channel (Dual)
    Gné FET : Standard
    Drain to Voltage Source (Vdss) : 40V
    Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 7.6A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (ú) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V
    Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 855pF @ 20V
    Cumhacht - Max : 3.1W
    Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Cineál Gléasta : Surface Mount
    Pacáiste / Cás : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Pacáiste Gléas Soláthraithe : 8-SO

    B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin