Vishay Siliconix - SIHD6N62E-GE3

KEY Part #: K6405594

SIHD6N62E-GE3 Praghsáil (USD) [50279pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.77767

Cuid Uimhir:
SIHD6N62E-GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET N-CH 620V 6A TO-252.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Transistors - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Réamh-c, Diodes - Toilleadh Athrógach (Varicaps, Varactors), Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Diodes - Rectifiers - Eagair, Trasraitheoirí - IGBTanna - Aonair, Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair, Modúil Tiomána Cumhachta and Trasraitheoirí - IGBTanna - Eagair ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SIHD6N62E-GE3 electronic components. SIHD6N62E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHD6N62E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHD6N62E-GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SIHD6N62E-GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
Sraith : -
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : N-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : -
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 578pF @ 100V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 78W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : D-PAK (TO-252AA)
Pacáiste / Cás : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin