Vishay Siliconix - SISH101DN-T1-GE3

KEY Part #: K6396124

SISH101DN-T1-GE3 Praghsáil (USD) [282943pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.13072

Cuid Uimhir:
SISH101DN-T1-GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - RF, Trasraitheoirí - FETs, MOSFETs - Eagair, Thyristors - SCRanna - Modúil, Diodes - Rectifiers - Eagair, Diodes - Toilleadh Athrógach (Varicaps, Varactors), Trasraitheoirí - IGBTanna - Eagair, Modúil Tiomána Cumhachta and Túistéirí - TRIACanna ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SISH101DN-T1-GE3 electronic components. SISH101DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISH101DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISH101DN-T1-GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SISH101DN-T1-GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212
Sraith : TrenchFET®
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : P-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 30V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 16.9A (Ta), 35A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 102nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 3595pF @ 15V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : PowerPAK® 1212-8SH
Pacáiste / Cás : PowerPAK® 1212-8SH