Vishay Siliconix - SI4408DY-T1-E3

KEY Part #: K6396458

SI4408DY-T1-E3 Praghsáil (USD) [80704pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.48449
  • 2,500 pcs$0.40854

Cuid Uimhir:
SI4408DY-T1-E3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Trasraitheoirí - IGBTanna - Modúil, Transistors - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Réamh-c, Trasraitheoirí - JFETanna, Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair, Réamh-chlaon, Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - RF, Trasraitheoirí - Cuspóir Speisialta, Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair and Thyristors - SCRanna - Modúil ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SI4408DY-T1-E3 electronic components. SI4408DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4408DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4408DY-T1-E3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SI4408DY-T1-E3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
Sraith : TrenchFET®
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : N-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 20V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 14A (Ta)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : -
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 1.6W (Ta)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : 8-SO
Pacáiste / Cás : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin