Cuid Uimhir :
IPB80N06S2LH5ATMA4
Monaróir :
Infineon Technologies
Cur síos :
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
55V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
190nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
5000pF @ 25V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
300W (Tc)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
PG-TO263-3-2
Pacáiste / Cás :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB