Vishay Siliconix - SIHB22N65E-GE3

KEY Part #: K6392762

SIHB22N65E-GE3 Praghsáil (USD) [17545pcs Stoc]

  • 1 pcs$2.34893
  • 10 pcs$2.09685
  • 100 pcs$1.71926
  • 500 pcs$1.39216
  • 1,000 pcs$1.17411

Cuid Uimhir:
SIHB22N65E-GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Diodes - Toilleadh Athrógach (Varicaps, Varactors), Trasraitheoirí - FETanna, MOSFETanna - Aonair, Túistéirí - TRIACanna, Trasraitheoirí - JFETanna, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Trasraitheoirí - IGBTanna - Aonair, Trasraitheoirí - Cuspóir Speisialta and Trasraitheoirí - IGBTanna - Modúil ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB22N65E-GE3 electronic components. SIHB22N65E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB22N65E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB22N65E-GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SIHB22N65E-GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Sraith : -
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : N-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 650V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 22A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 2415pF @ 100V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 227W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : D2PAK
Pacáiste / Cás : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB