Vishay Siliconix - SQ3418AEEV-T1_GE3

KEY Part #: K6420562

SQ3418AEEV-T1_GE3 Praghsáil (USD) [211203pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.17513
  • 3,000 pcs$0.15329

Cuid Uimhir:
SQ3418AEEV-T1_GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - RF, Diodes - RF, Trasraitheoirí - FETs, MOSFETs - Eagair, Trasraitheoirí - Cuspóir Speisialta, Diodes - Toilleadh Athrógach (Varicaps, Varactors), Trasraitheoirí - IGBTanna - Eagair, Túistéirí - DIACs, SIDACanna and Diodes - Zener - Aonair ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SQ3418AEEV-T1_GE3 electronic components. SQ3418AEEV-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ3418AEEV-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ3418AEEV-T1_GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SQ3418AEEV-T1_GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP
Sraith : TrenchFET®
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : N-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 30V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 7.8A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 370pF @ 15V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 4W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : 6-TSOP
Pacáiste / Cás : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin