Vishay Siliconix - SQ3425EV-T1_GE3

KEY Part #: K6405140

SQ3425EV-T1_GE3 Praghsáil (USD) [366462pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.10093
  • 3,000 pcs$0.09710

Cuid Uimhir:
SQ3425EV-T1_GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Trasraitheoirí - IGBTanna - Modúil, Transistors - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Réamh-c, Diodes - Toilleadh Athrógach (Varicaps, Varactors), Túistéirí - TRIACanna, Trasraitheoirí - JFETanna, Trasraitheoirí - IGBTanna - Eagair, Diodes - Rectifiers Bridge and Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SQ3425EV-T1_GE3 electronic components. SQ3425EV-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ3425EV-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ3425EV-T1_GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SQ3425EV-T1_GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
Sraith : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : P-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 20V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 7.4A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 10.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 840pF @ 10V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 5W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : 6-TSOP
Pacáiste / Cás : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6