Cuid Uimhir :
SI4463BDY-T1-E3
Monaróir :
Vishay Siliconix
Cur síos :
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
20V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
9.8A (Ta)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 13.7A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
56nC @ 4.5V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
1.5W (Ta)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
8-SO
Pacáiste / Cás :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)