Cuid Uimhir :
GSID150A120S3B1
Monaróir :
Global Power Technologies Group
Cur síos :
SILICON IGBT MODULES
Cumraíocht :
2 Independent
Miondealú Astaire an Voltais - Bailitheoir (Max) :
1200V
Reatha - Bailitheoir (Ic) (Max) :
300A
Vce (ar) (Max) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 150A
Atá ann faoi láthair - Cutoff an Bhailitheora (Max) :
1mA
Ionchur Capacitance (Cies) @ Vce :
14nF @ 25V
Teocht Oibriúcháin :
-40°C ~ 150°C
Cineál Gléasta :
Chassis Mount
Pacáiste / Cás :
D-3 Module
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
D3