Vishay Siliconix - SI4567DY-T1-GE3

KEY Part #: K6524040

[3964pcs Stoc]


    Cuid Uimhir:
    SI4567DY-T1-GE3
    Monaróir:
    Vishay Siliconix
    Cur síos mionsonraithe:
    MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC.
    Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
    I stoc
    Seilfré:
    Bliain
    Slis Ó:
    Hong Cong
    RoHS:
    Modh íocaíochta:
    Bealach loingsithe:
    Catagóirí Teaghlaigh:
    Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Diodes - Rectifiers Bridge, Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair, Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair, Réamh-chlaon, Trasraitheoirí - IGBTanna - Eagair, Transistors - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Réamh-c, Diodes - Zener - Aonair, Diodes - Toilleadh Athrógach (Varicaps, Varactors) and Diodes - RF ...
    Buntáiste iomaíoch:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4567DY-T1-GE3 electronic components. SI4567DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4567DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4567DY-T1-GE3 Tréithe Táirge

    Cuid Uimhir : SI4567DY-T1-GE3
    Monaróir : Vishay Siliconix
    Cur síos : MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
    Sraith : TrenchFET®
    Stádas Cuid : Obsolete
    Cineál FET : N and P-Channel
    Gné FET : Standard
    Drain to Voltage Source (Vdss) : 40V
    Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 5A, 4.4A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 4.1A, 10V
    Vgs (ú) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
    Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
    Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 355pF @ 20V
    Cumhacht - Max : 2.75W, 2.95W
    Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Cineál Gléasta : Surface Mount
    Pacáiste / Cás : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Pacáiste Gléas Soláthraithe : 8-SO

    B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin