Vishay Siliconix - SQS411ENW-T1_GE3

KEY Part #: K6420773

SQS411ENW-T1_GE3 Praghsáil (USD) [250794pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.14748

Cuid Uimhir:
SQS411ENW-T1_GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Trasraitheoirí - IGBTanna - Aonair, Transistors - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Réamh-c, Diodes - Rectifiers Bridge, Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Thyristors - SCRanna - Modúil, Túistéirí - DIACs, SIDACanna, Diodes - Zener - Sraith and Diodes - Rectifiers - Eagair ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SQS411ENW-T1_GE3 electronic components. SQS411ENW-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQS411ENW-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQS411ENW-T1_GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SQS411ENW-T1_GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W
Sraith : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : P-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 40V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 16A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27.3 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 3191pF @ 25V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 53.6W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : PowerPAK® 1212-8W
Pacáiste / Cás : PowerPAK® 1212-8W

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin