Cur síos :
GANFET N-CH 650V 20A PQFN
Teicneolaíocht :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
650V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
20A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 13A, 8V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
2.6V @ 300µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 8V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
760pF @ 400V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
96W (Tc)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
3-PQFN (8x8)
Pacáiste / Cás :
3-PowerDFN