Cuid Uimhir :
SI7882DP-T1-GE3
Monaróir :
Vishay Siliconix
Cur síos :
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
12V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
13A (Ta)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 17A, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 4.5V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
1.9W (Ta)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
PowerPAK® SO-8
Pacáiste / Cás :
PowerPAK® SO-8