Toshiba Semiconductor and Storage - TK7J90E,S1E

KEY Part #: K6417572

TK7J90E,S1E Praghsáil (USD) [34636pcs Stoc]

  • 1 pcs$1.30888
  • 25 pcs$1.00143
  • 100 pcs$0.90130
  • 500 pcs$0.70102
  • 1,000 pcs$0.58085

Cuid Uimhir:
TK7J90E,S1E
Monaróir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET N-CH 900V TO-3PN.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Trasraitheoirí - Neamhfheidhmiú Inchláraithe, Diodes - Toilleadh Athrógach (Varicaps, Varactors), Diodes - Zener - Sraith, Trasraitheoirí - IGBTanna - Aonair, Diodes - Rectifiers - Eagair, Thyristors - SCRanna - Modúil, Túistéirí - DIACs, SIDACanna and Diodes - Zener - Aonair ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK7J90E,S1E electronic components. TK7J90E,S1E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK7J90E,S1E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK7J90E,S1E Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : TK7J90E,S1E
Monaróir : Toshiba Semiconductor and Storage
Cur síos : MOSFET N-CH 900V TO-3PN
Sraith : π-MOSVIII
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : N-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 900V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 7A (Ta)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 4V @ 700µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 25V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 200W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraithe : TO-3P(N)
Pacáiste / Cás : TO-3P-3, SC-65-3

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin