Vishay Siliconix - SI4776DY-T1-GE3

KEY Part #: K6415726

SI4776DY-T1-GE3 Praghsáil (USD) [383787pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.09638
  • 2,500 pcs$0.09104

Cuid Uimhir:
SI4776DY-T1-GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Túistéirí - TRIACanna, Túistéirí - DIACs, SIDACanna, Transistors - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Réamh-c, Trasraitheoirí - FETs, MOSFETs - Eagair, Trasraitheoirí - Cuspóir Speisialta, Trasraitheoirí - Neamhfheidhmiú Inchláraithe, Thyristors - SCRanna and Diodes - Rectifiers - Aonair ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SI4776DY-T1-GE3 electronic components. SI4776DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4776DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4776DY-T1-GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SI4776DY-T1-GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO
Sraith : SkyFET®, TrenchFET®
Stádas Cuid : Obsolete
Cineál FET : N-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 30V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 11.9A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 17.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 521pF @ 15V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 4.1W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TA)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : 8-SO
Pacáiste / Cás : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)