Infineon Technologies - IPD85P04P4L06ATMA1

KEY Part #: K6420111

IPD85P04P4L06ATMA1 Praghsáil (USD) [161597pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.22889
  • 2,500 pcs$0.20995

Cuid Uimhir:
IPD85P04P4L06ATMA1
Monaróir:
Infineon Technologies
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET N-CH TO252-3.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Trasraitheoirí - FETanna, MOSFETanna - Aonair, Trasraitheoirí - IGBTanna - Eagair, Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair, Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - RF, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Trasraitheoirí - Cuspóir Speisialta, Trasraitheoirí - IGBTanna - Aonair and Diodes - Rectifiers - Eagair ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Infineon Technologies IPD85P04P4L06ATMA1 electronic components. IPD85P04P4L06ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD85P04P4L06ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD85P04P4L06ATMA1 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : IPD85P04P4L06ATMA1
Monaróir : Infineon Technologies
Cur síos : MOSFET N-CH TO252-3
Sraith : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : P-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 40V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 85A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.4 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 2.2V @ 150µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 104nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 6580pF @ 25V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 88W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : PG-TO252-3-313
Pacáiste / Cás : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin