Cuid Uimhir :
IPB180P04P403ATMA1
Monaróir :
Infineon Technologies
Cur síos :
MOSFET P-CH TO263-7
Sraith :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
40V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
180A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
4V @ 410µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
250nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
17640pF @ 25V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
150W (Tc)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
PG-TO263-7-3
Pacáiste / Cás :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)