Cuid Uimhir :
SI3879DV-T1-GE3
Monaróir :
Vishay Siliconix
Cur síos :
MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
20V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
5A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
14.5nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
480pF @ 10V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
2W (Ta), 3.3W (Tc)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
6-TSOP
Pacáiste / Cás :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6