Cuid Uimhir :
IPB120N10S405ATMA1
Monaróir :
Infineon Technologies
Cur síos :
MOSFET N-CH TO263-3
Sraith :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
100V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
3.5V @ 120µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
91nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
6540pF @ 25V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
190W (Tc)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
D²PAK (TO-263AB)
Pacáiste / Cás :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB