Cuid Uimhir :
IPB79CN10N G
Monaróir :
Infineon Technologies
Cur síos :
MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
100V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
13A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
79 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
4V @ 12µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
716pF @ 50V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
31W (Tc)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
D²PAK (TO-263AB)
Pacáiste / Cás :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB