Cuid Uimhir :
SIS434DN-T1-GE3
Monaróir :
Vishay Siliconix
Cur síos :
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
40V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
35A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.6 mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
1530pF @ 20V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
PowerPAK® 1212-8
Pacáiste / Cás :
PowerPAK® 1212-8