GeneSiC Semiconductor - GB100XCP12-227

KEY Part #: K6532798

Catagóirí Teaghlaigh:: Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Túistéirí - DIACs, SIDACanna, Modúil Tiomána Cumhachta, Diodes - Rectifiers - Eagair, Trasraitheoirí - FETanna, MOSFETanna - Aonair, Trasraitheoirí - IGBTanna - Eagair, Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair, Transistors - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Réamh-c and Diodes - Zener - Sraith ...

Buntáiste iomaíoch:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227 electronic components. GB100XCP12-227 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB100XCP12-227, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Cuid Uimhir : GB100XCP12-227

Monaróir : GeneSiC Semiconductor

Cur síos : IGBT 1200V 100A SOT-227

Sraith : -

Stádas Cuid : Obsolete

Cineál IGBT : PT

Cumraíocht : Single

Miondealú Astaire an Voltais - Bailitheoir (Max) : 1200V

Reatha - Bailitheoir (Ic) (Max) : 100A

Cumhacht - Max : -

Vce (ar) (Max) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 100A

Atá ann faoi láthair - Cutoff an Bhailitheora (Max) : 1mA

Ionchur Capacitance (Cies) @ Vce : 8.55nF @ 25V

Ionchur : Standard

NTC Teirmeastar : No

Teocht Oibriúcháin : -40°C ~ 175°C (TJ)

Cineál Gléasta : Chassis Mount

Pacáiste / Cás : SOT-227-4

Pacáiste Gléas Soláthraithe : SOT-227

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin

VS-GB90SA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.
VS-GB90DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.
CPV362M4K

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.
CPV362M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.
CPV363M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.
VS-GB75NA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

Páirteanna Te