Cuid Uimhir :
GA08JT17-247
Monaróir :
GeneSiC Semiconductor
Cur síos :
TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB
Teicneolaíocht :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
1700V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
8A (Tc) (90°C)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 8A
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
48W (Tc)
Teocht Oibriúcháin :
175°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
TO-247AB
Pacáiste / Cás :
TO-247-3