Cuid Uimhir :
SIR866DP-T1-GE3
Monaróir :
Vishay Siliconix
Cur síos :
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
20V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
60A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
2.3V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
107nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
4730pF @ 10V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
PowerPAK® SO-8
Pacáiste / Cás :
PowerPAK® SO-8