Cuid Uimhir :
IPB60R040C7ATMA1
Monaróir :
Infineon Technologies
Cur síos :
MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
650V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
4V @ 1.24mA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
107nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
4340pF @ 400V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
227W (Tc)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
PG-TO263-3
Pacáiste / Cás :
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA