Infineon Technologies - BSZ097N10NS5ATMA1

KEY Part #: K6419732

BSZ097N10NS5ATMA1 Praghsáil (USD) [128079pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.28879
  • 5,000 pcs$0.26495

Cuid Uimhir:
BSZ097N10NS5ATMA1
Monaróir:
Infineon Technologies
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Diodes - Zener - Aonair, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Trasraitheoirí - IGBTanna - Aonair, Trasraitheoirí - FETanna, MOSFETanna - Aonair, Túistéirí - DIACs, SIDACanna, Trasraitheoirí - FETs, MOSFETs - Eagair, Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - Sraitheanna and Trasraitheoirí - IGBTanna - Eagair ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Infineon Technologies BSZ097N10NS5ATMA1 electronic components. BSZ097N10NS5ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ097N10NS5ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ097N10NS5ATMA1 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : BSZ097N10NS5ATMA1
Monaróir : Infineon Technologies
Cur síos : MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
Sraith : OptiMOS™
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : N-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 100V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 8A (Ta), 40A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 3.8V @ 36µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 2080pF @ 50V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : PG-TSDSON-8-FL
Pacáiste / Cás : 8-PowerTDFN

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin