Infineon Technologies - IPB80N06S2H5ATMA2

KEY Part #: K6399755

IPB80N06S2H5ATMA2 Praghsáil (USD) [66102pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.59152
  • 1,000 pcs$0.56331

Cuid Uimhir:
IPB80N06S2H5ATMA2
Monaróir:
Infineon Technologies
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Thyristors - SCRanna - Modúil, Trasraitheoirí - IGBTanna - Eagair, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Diodes - Toilleadh Athrógach (Varicaps, Varactors), Diodes - Zener - Sraith, Diodes - Rectifiers - Eagair, Diodes - Rectifiers - Aonair and Trasraitheoirí - Neamhfheidhmiú Inchláraithe ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Infineon Technologies IPB80N06S2H5ATMA2 electronic components. IPB80N06S2H5ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB80N06S2H5ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB80N06S2H5ATMA2 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : IPB80N06S2H5ATMA2
Monaróir : Infineon Technologies
Cur síos : MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Sraith : OptiMOS™
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : N-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 55V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 4V @ 230µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 4400pF @ 25V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 300W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : PG-TO263-3-2
Pacáiste / Cás : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin