Cuid Uimhir :
IPB60R120C7ATMA1
Monaróir :
Infineon Technologies
Cur síos :
MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
650V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
19A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
4V @ 390µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
1500pF @ 400V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
92W (Tc)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
PG-TO263-3
Pacáiste / Cás :
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA