Cuid Uimhir :
DMN10H170SFG-7
Monaróir :
Diodes Incorporated
Cur síos :
MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
100V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
122 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
14.9nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
870.7pF @ 25V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
940mW (Ta)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
PowerDI3333-8
Pacáiste / Cás :
8-PowerWDFN