Vishay Siliconix - SIS429DNT-T1-GE3

KEY Part #: K6393465

SIS429DNT-T1-GE3 Praghsáil (USD) [647879pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.05709

Cuid Uimhir:
SIS429DNT-T1-GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Modúil Tiomána Cumhachta, Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair, Réamh-chlaon, Túistéirí - TRIACanna, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Diodes - RF, Túistéirí - DIACs, SIDACanna and Trasraitheoirí - Neamhfheidhmiú Inchláraithe ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SIS429DNT-T1-GE3 electronic components. SIS429DNT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS429DNT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS429DNT-T1-GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SIS429DNT-T1-GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212
Sraith : -
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : P-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 30V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 15V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 27.8W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : PowerPAK® 1212-8
Pacáiste / Cás : PowerPAK® 1212-8