Infineon Technologies - IPD50N03S207ATMA1

KEY Part #: K6420258

IPD50N03S207ATMA1 Praghsáil (USD) [175563pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.21068
  • 2,500 pcs$0.20069

Cuid Uimhir:
IPD50N03S207ATMA1
Monaróir:
Infineon Technologies
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Thyristors - SCRanna, Trasraitheoirí - IGBTanna - Aonair, Modúil Tiomána Cumhachta, Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - RF, Trasraitheoirí - IGBTanna - Modúil, Diodes - Rectifiers - Eagair, Túistéirí - DIACs, SIDACanna and Trasraitheoirí - FETanna, MOSFETanna - Aonair ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Infineon Technologies IPD50N03S207ATMA1 electronic components. IPD50N03S207ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD50N03S207ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD50N03S207ATMA1 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : IPD50N03S207ATMA1
Monaróir : Infineon Technologies
Cur síos : MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Sraith : OptiMOS™
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : N-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 30V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 4V @ 85µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 25V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 136W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : PG-TO252-3
Pacáiste / Cás : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin