Vishay Siliconix - SQ2301ES-T1_GE3

KEY Part #: K6421360

SQ2301ES-T1_GE3 Praghsáil (USD) [485597pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.07617
  • 3,000 pcs$0.06474

Cuid Uimhir:
SQ2301ES-T1_GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Diodes - Zener - Sraith, Trasraitheoirí - IGBTanna - Aonair, Túistéirí - TRIACanna, Modúil Tiomána Cumhachta, Trasraitheoirí - FETanna, MOSFETanna - Aonair, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Trasraitheoirí - JFETanna and Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - RF ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SQ2301ES-T1_GE3 electronic components. SQ2301ES-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ2301ES-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ2301ES-T1_GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SQ2301ES-T1_GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Sraith : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : P-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 20V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 3.9A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 8nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 425pF @ 10V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 3W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 175°C (TA)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : TO-236 (SOT-23)
Pacáiste / Cás : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin