Cuid Uimhir :
IPL65R660E6AUMA1
Monaróir :
Infineon Technologies
Cur síos :
MOSFET N-CH 4VSON
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
650V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
7A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
660 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
3.5V @ 200µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
440pF @ 100V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
63W (Tc)
Teocht Oibriúcháin :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
Thin-Pak (8x8)
Pacáiste / Cás :
4-PowerTSFN