Murata Electronics North America - NFM21PC104R1E3D

KEY Part #: K7359525

NFM21PC104R1E3D Praghsáil (USD) [1022539pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.03635
  • 4,000 pcs$0.03617
  • 8,000 pcs$0.03404
  • 12,000 pcs$0.03192
  • 28,000 pcs$0.02979

Cuid Uimhir:
NFM21PC104R1E3D
Monaróir:
Murata Electronics North America
Cur síos mionsonraithe:
CAP FEEDTHRU 0.1UF 20 25V 0805. Feed Through Capacitors 100KPF 25V 2.0A EMI
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Criostail Monolithic, Feed Trí Toilleoirí, Scagairí EMI / RFI (LC, Líonraí RC), Coirníní agus Sceallóga Ferrite, Scagairí SAW, Coiteann Mód Chokes, Scagairí RF and Dioscaí agus Plátaí Ferrite ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Murata Electronics North America NFM21PC104R1E3D electronic components. NFM21PC104R1E3D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NFM21PC104R1E3D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NFM21PC104R1E3D Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : NFM21PC104R1E3D
Monaróir : Murata Electronics North America
Cur síos : CAP FEEDTHRU 0.1UF 20 25V 0805
Sraith : EMIFIL®, NFM21
Stádas Cuid : Active
Toilleadh : 0.1µF
Lamháltas : ±20%
Voltas - Rátáilte : 25V
Reatha : 2A
Friotaíocht DC (DCR) (Max) : 30 mOhm
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 125°C
Caillteanas a Chur isteach : -
Comhéifeacht Teocht : -
Rátálacha : -
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste / Cás : 0805 (2012 Metric), 3 PC Pad
Méid / Toise : 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Airde (Max) : 0.037" (0.95mm)
Méid an Snáithe : -

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.