Microsemi Corporation - 1N5822US

KEY Part #: K6441014

Cur síos mionsonraithe:: DIODE SCHOTTKY 40V 3A B-MELF. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky

Catagóirí Teaghlaigh:: Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Túistéirí - DIACs, SIDACanna, Modúil Tiomána Cumhachta, Trasraitheoirí - IGBTanna - Aonair, Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - RF, Thyristors - SCRanna - Modúil, Diodes - Zener - Aonair, Trasraitheoirí - Cuspóir Speisialta and Transistors - FETs, MOSFETs - RF ...

Buntáiste iomaíoch:: We specialize in Microsemi Corporation 1N5822US electronic components. 1N5822US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5822US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Cuid Uimhir : 1N5822US

Monaróir : Microsemi Corporation

Cur síos : DIODE SCHOTTKY 40V 3A B-MELF

Sraith : -

Stádas Cuid : Active

Cineál Dé-óid : Schottky

Voltas - DC Droim ar ais (Vr) (Max) : 40V

Reatha - Meáncheartaithe (Io) : 3A

Voltas - Ar Aghaidh (Vf) (Max) @ If : 500mV @ 3A

Luas : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Am Téarnaimh Droim ar Ais (trr) : -

Reatha - Sceitheadh Droim ar Ais @ Vr : 100µA @ 40V

Capacitance @ Vr, F : -

Cineál Gléasta : Surface Mount

Pacáiste / Cás : SQ-MELF, B

Pacáiste Gléas Soláthraithe : B, SQ-MELF

Teocht Oibriúcháin - Acomhal : -65°C ~ 125°C

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin

RURD420S9A_T

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.
IDB10S60CATMA2

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK.
VS-8EWF04S-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
VS-MURB1520TRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 15A D2PAK.
VS-20ETS08STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.
VS-20ETS12STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK.

Páirteanna Te