Murata Electronics North America - NFM21PC105B1A3D

KEY Part #: K7359534

NFM21PC105B1A3D Praghsáil (USD) [948493pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.03919
  • 4,000 pcs$0.03900
  • 8,000 pcs$0.03670
  • 12,000 pcs$0.03441
  • 28,000 pcs$0.03211

Cuid Uimhir:
NFM21PC105B1A3D
Monaróir:
Murata Electronics North America
Cur síos mionsonraithe:
CAP FEEDTHRU 1UF 20 10V 0805. Feed Through Capacitors 1 uF 10V 4.0A EMI FILTER
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Scagairí SAW, Dioscaí agus Plátaí Ferrite, Scagairí DSL, Fir Ferrite - Cáblaí agus Sreangú, Coiteann Mód Chokes, Modúil Scagaire Líne Cumhachta, Gabhálais and Helical Filters ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Murata Electronics North America NFM21PC105B1A3D electronic components. NFM21PC105B1A3D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NFM21PC105B1A3D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NFM21PC105B1A3D Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : NFM21PC105B1A3D
Monaróir : Murata Electronics North America
Cur síos : CAP FEEDTHRU 1UF 20 10V 0805
Sraith : EMIFIL®, NFM21
Stádas Cuid : Active
Toilleadh : 1µF
Lamháltas : ±20%
Voltas - Rátáilte : 10V
Reatha : 4A
Friotaíocht DC (DCR) (Max) : 20 mOhm
Teocht Oibriúcháin : -40°C ~ 85°C
Caillteanas a Chur isteach : -
Comhéifeacht Teocht : -
Rátálacha : -
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste / Cás : 0805 (2012 Metric), 3 PC Pad
Méid / Toise : 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Airde (Max) : 0.037" (0.95mm)
Méid an Snáithe : -

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.