Vishay Siliconix - SISH129DN-T1-GE3

KEY Part #: K6396136

SISH129DN-T1-GE3 Praghsáil (USD) [212224pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.17428

Cuid Uimhir:
SISH129DN-T1-GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Thyristors - SCRanna - Modúil, Diodes - Zener - Aonair, Trasraitheoirí - FETanna, MOSFETanna - Aonair, Trasraitheoirí - Cuspóir Speisialta, Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair, Réamh-chlaon, Túistéirí - TRIACanna, Trasraitheoirí - IGBTanna - Modúil and Trasraitheoirí - IGBTanna - Aonair ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SISH129DN-T1-GE3 electronic components. SISH129DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISH129DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISH129DN-T1-GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SISH129DN-T1-GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
Sraith : TrenchFET®
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : P-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 30V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 14.4A (Ta), 35A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.4 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 71nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 3345pF @ 15V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -50°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : PowerPAK® 1212-8SH
Pacáiste / Cás : PowerPAK® 1212-8SH