Cuid Uimhir :
SI5441DC-T1-E3
Monaróir :
Vishay Siliconix
Cur síos :
MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
20V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
3.9A (Ta)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 4.5V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
1.3W (Ta)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
1206-8 ChipFET™
Pacáiste / Cás :
8-SMD, Flat Lead