Cuid Uimhir :
SI4774DY-T1-GE3
Monaróir :
Vishay Siliconix
Cur síos :
MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Sraith :
SkyFET®, TrenchFET®
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
30V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
16A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
14.3nC @ 4.5V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
1025pF @ 15V
Gné FET :
Schottky Diode (Body)
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
5W (Tc)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TA)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
8-SO
Pacáiste / Cás :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)