Cuid Uimhir :
SI3853DV-T1-E3
Monaróir :
Vishay Siliconix
Cur síos :
MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
20V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
1.6A (Ta)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
500mV @ 250µA (Min)
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
4nC @ 4.5V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Gné FET :
Schottky Diode (Isolated)
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
830mW (Ta)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
6-TSOP
Pacáiste / Cás :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6