Renesas Electronics America - H7N1002LSTL-E

KEY Part #: K6402401

[2717pcs Stoc]


    Cuid Uimhir:
    H7N1002LSTL-E
    Monaróir:
    Renesas Electronics America
    Cur síos mionsonraithe:
    MOSFET N-CH 100V LDPAK.
    Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
    I stoc
    Seilfré:
    Bliain
    Slis Ó:
    Hong Cong
    RoHS:
    Modh íocaíochta:
    Bealach loingsithe:
    Catagóirí Teaghlaigh:
    Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Trasraitheoirí - JFETanna, Thyristors - SCRanna - Modúil, Diodes - RF, Diodes - Zener - Sraith, Trasraitheoirí - FETanna, MOSFETanna - Aonair, Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair, Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - RF and Trasraitheoirí - IGBTanna - Eagair ...
    Buntáiste iomaíoch:
    We specialize in Renesas Electronics America H7N1002LSTL-E electronic components. H7N1002LSTL-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for H7N1002LSTL-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    H7N1002LSTL-E Tréithe Táirge

    Cuid Uimhir : H7N1002LSTL-E
    Monaróir : Renesas Electronics America
    Cur síos : MOSFET N-CH 100V LDPAK
    Sraith : -
    Stádas Cuid : Active
    Cineál FET : N-Channel
    Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain to Voltage Source (Vdss) : 100V
    Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 75A (Ta)
    Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 37.5A, 10V
    Vgs (ú) (Max) @ Id : -
    Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 9700pF @ 10V
    Gné FET : -
    Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 100W (Tc)
    Teocht Oibriúcháin : 150°C (TJ)
    Cineál Gléasta : Surface Mount
    Pacáiste Gléas Soláthraithe : 4-LDPAK
    Pacáiste / Cás : SC-83

    B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin