Vishay Siliconix - SIB412DK-T1-GE3

KEY Part #: K6407842

[833pcs Stoc]


    Cuid Uimhir:
    SIB412DK-T1-GE3
    Monaróir:
    Vishay Siliconix
    Cur síos mionsonraithe:
    MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6.
    Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
    I stoc
    Seilfré:
    Bliain
    Slis Ó:
    Hong Cong
    RoHS:
    Modh íocaíochta:
    Bealach loingsithe:
    Catagóirí Teaghlaigh:
    Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Thyristors - SCRanna - Modúil, Modúil Tiomána Cumhachta, Túistéirí - TRIACanna, Diodes - Zener - Sraith, Diodes - Rectifiers Bridge, Trasraitheoirí - IGBTanna - Eagair, Diodes - Toilleadh Athrógach (Varicaps, Varactors) and Diodes - RF ...
    Buntáiste iomaíoch:
    We specialize in Vishay Siliconix SIB412DK-T1-GE3 electronic components. SIB412DK-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIB412DK-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIB412DK-T1-GE3 Tréithe Táirge

    Cuid Uimhir : SIB412DK-T1-GE3
    Monaróir : Vishay Siliconix
    Cur síos : MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
    Sraith : TrenchFET®
    Stádas Cuid : Obsolete
    Cineál FET : N-Channel
    Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain to Voltage Source (Vdss) : 20V
    Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)
    Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 6.6A, 4.5V
    Vgs (ú) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 10.16nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±8V
    Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 535pF @ 10V
    Gné FET : -
    Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 2.4W (Ta), 13W (Tc)
    Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Cineál Gléasta : Surface Mount
    Pacáiste Gléas Soláthraithe : PowerPAK® SC-75-6L Single
    Pacáiste / Cás : PowerPAK® SC-75-6L

    B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin