Cuid Uimhir :
IPD031N06L3GATMA1
Monaróir :
Infineon Technologies
Cur síos :
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
60V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
2.2V @ 93µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
79nC @ 4.5V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
13000pF @ 30V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
167W (Tc)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
PG-TO252-3
Pacáiste / Cás :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63