Cuid Uimhir :
SIHB33N60EF-GE3
Monaróir :
Vishay Siliconix
Cur síos :
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
600V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
33A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
98 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
155nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
3454pF @ 100V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
278W (Tc)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
D²PAK (TO-263)
Pacáiste / Cás :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB