Cuid Uimhir :
IXTY1R4N60P
Cur síos :
MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
600V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
1.4A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
5.5V @ 25µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
5.2nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
140pF @ 25V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
50W (Tc)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
TO-252, (D-Pak)
Pacáiste / Cás :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63