Cuid Uimhir :
SI2301BDS-T1-GE3
Monaróir :
Vishay Siliconix
Cur síos :
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
20V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
2.2A (Ta)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
950mV @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
375pF @ 6V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
700mW (Ta)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
SOT-23-3 (TO-236)
Pacáiste / Cás :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3