Vishay Siliconix - SQD50N05-11L_GE3

KEY Part #: K6419463

SQD50N05-11L_GE3 Praghsáil (USD) [113470pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.32596
  • 2,000 pcs$0.30423

Cuid Uimhir:
SQD50N05-11L_GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET N-CH 50V 50A TO252.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Trasraitheoirí - JFETanna, Diodes - Rectifiers - Eagair, Trasraitheoirí - IGBTanna - Aonair, Thyristors - SCRanna - Modúil, Diodes - Rectifiers - Aonair, Diodes - Toilleadh Athrógach (Varicaps, Varactors), Trasraitheoirí - IGBTanna - Eagair and Diodes - RF ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SQD50N05-11L_GE3 electronic components. SQD50N05-11L_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQD50N05-11L_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQD50N05-11L_GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SQD50N05-11L_GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET N-CH 50V 50A TO252
Sraith : TrenchFET®
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : N-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 50V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 2106pF @ 25V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 75W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : TO-252AA
Pacáiste / Cás : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin